창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD04N80C3ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD04N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001117768 SPD04N80C3ATMA1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD04N80C3ATMA1 | |
| 관련 링크 | SPD04N80C, SPD04N80C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MCH155A181JK | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | MCH155A181JK.pdf | |
![]() | 416F2601XALT | 26MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2601XALT.pdf | |
![]() | RG2012P-3480-D-T5 | RES SMD 348 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-3480-D-T5.pdf | |
![]() | RCWE2512R360FKEA | RES SMD 0.36 OHM 1% 2W 2512 | RCWE2512R360FKEA.pdf | |
![]() | PCAB831CCG | PCAB831CCG GPS PLCC | PCAB831CCG.pdf | |
![]() | HM62256BLSP-6 | HM62256BLSP-6 ORIGINAL DIP28 | HM62256BLSP-6.pdf | |
![]() | CMHZ5266B | CMHZ5266B CENTRAL SMD or Through Hole | CMHZ5266B.pdf | |
![]() | 3DG82 | 3DG82 CHINA SMD or Through Hole | 3DG82.pdf | |
![]() | 3296P-1-101RLF | 3296P-1-101RLF BORUNS SMD or Through Hole | 3296P-1-101RLF.pdf | |
![]() | MAX5417LTA | MAX5417LTA MAXIM 8THIN | MAX5417LTA.pdf | |
![]() | ST-4TG104 | ST-4TG104 COPAL SMD or Through Hole | ST-4TG104.pdf |