창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPB21N50C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPB21N50C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 13.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | Q2088067 SP000013833 SPB21N50C3-ND SPB21N50C3ATMA1 SPB21N50C3INTR SPB21N50C3XT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPB21N50C3 | |
관련 링크 | SPB21N, SPB21N50C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 9C-10.000MAAJ-T | 10MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-10.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | FCP220N80 | MOSFET N-CH 800V 23A | FCP220N80.pdf | |
![]() | RSD045P05TL | MOSFET P-CH 45V CPT3 | RSD045P05TL.pdf | |
![]() | HRG3216P-2742-B-T1 | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2742-B-T1.pdf | |
![]() | 1n5232brlg | 1n5232brlg ON DO-35 | 1n5232brlg.pdf | |
![]() | L06P03GU | L06P03GU PHILIPS SOT363 | L06P03GU.pdf | |
![]() | YC75T-4R7M | YC75T-4R7M YOUTH SMD | YC75T-4R7M.pdf | |
![]() | RF9572 | RF9572 RFMD QFN-16 | RF9572.pdf | |
![]() | TC74HC375A | TC74HC375A TOSHIBA SOP16 | TC74HC375A.pdf | |
![]() | AD802BRM | AD802BRM AD MSOP-8 | AD802BRM.pdf | |
![]() | BNC-MM/50/1 | BNC-MM/50/1 AMPHENOL SMD or Through Hole | BNC-MM/50/1.pdf | |
![]() | MA4E1339E1-1068T | MA4E1339E1-1068T MA/COM SMD or Through Hole | MA4E1339E1-1068T.pdf |