창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMMUN2111LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SMMUN2111LT1G-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMMUN2111LT1G | |
| 관련 링크 | SMMUN21, SMMUN2111LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RCE5C1H471J0A2H03B | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H471J0A2H03B.pdf | |
![]() | CDV30FK161GO3F | MICA | CDV30FK161GO3F.pdf | |
![]() | SZBZX84C9V1ET1G | DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3 | SZBZX84C9V1ET1G.pdf | |
![]() | SMBG5369A/TR13 | DIODE ZENER 51V 5W SMBG | SMBG5369A/TR13.pdf | |
![]() | LM431BC | LM431BC NSC SOP8 | LM431BC.pdf | |
![]() | XG4A-6471 | XG4A-6471 OMRON SMD or Through Hole | XG4A-6471.pdf | |
![]() | LC86P4732 | LC86P4732 SANYO DIP52 | LC86P4732.pdf | |
![]() | 293D477X5004E2WE3 | 293D477X5004E2WE3 Vishay SMD | 293D477X5004E2WE3.pdf | |
![]() | M430U133SI | M430U133SI TI SSOP | M430U133SI.pdf | |
![]() | PCA9515ADP+118 | PCA9515ADP+118 NXP MSOP-8 | PCA9515ADP+118.pdf | |
![]() | HEF4794BP/S201 | HEF4794BP/S201 NXP SMD or Through Hole | HEF4794BP/S201.pdf | |
![]() | TCL-TOOY12-03M01 | TCL-TOOY12-03M01 TCL DIP | TCL-TOOY12-03M01.pdf |