창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C9V1ET1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84C9V1ET1G | |
관련 링크 | SZBZX84C9, SZBZX84C9V1ET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | LBC2016T2R2M | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 200 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBC2016T2R2M.pdf | |
![]() | HS200 1K J | RES CHAS MNT 1K OHM 5% 200W | HS200 1K J.pdf | |
![]() | RG1608N-1211-W-T5 | RES SMD 1.21K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-1211-W-T5.pdf | |
![]() | K4E170412C-JC50 | K4E170412C-JC50 SAMSUNG SOJ | K4E170412C-JC50.pdf | |
![]() | C4147G | C4147G NEC SOP14 | C4147G.pdf | |
![]() | C-13-001-E-X C-15-001-E-X | C-13-001-E-X C-15-001-E-X LUMINENTINC DIP-4 | C-13-001-E-X C-15-001-E-X.pdf | |
![]() | NCP1212CPEU | NCP1212CPEU ON DIP-8 | NCP1212CPEU.pdf | |
![]() | SP1086V-L-5-0 | SP1086V-L-5-0 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP1086V-L-5-0.pdf | |
![]() | HACD3A184J | HACD3A184J NIPPON DIP | HACD3A184J.pdf | |
![]() | COM20020JLJP | COM20020JLJP ORIGINAL SMD or Through Hole | COM20020JLJP.pdf | |
![]() | NC20KC0180JBA | NC20KC0180JBA AVX SMD | NC20KC0180JBA.pdf | |
![]() | EM19110M | EM19110M EMC SOP-24 | EM19110M.pdf |