창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT9003AI-2-33EO | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT9003 Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT9003 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 안정도(총) | ±50ppm, ±100ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | -0.50%, 하향 확산 | |
전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT9003AI-2-33EO | |
관련 링크 | SIT9003AI, SIT9003AI-2-33EO 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
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![]() | RHEL81H683K1DBA03A | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X8L 방사 0.157" L x 0.124" W(4.00mm x 3.15mm) | RHEL81H683K1DBA03A.pdf | |
FK11Y5V0J107Z | 100µF 6.3V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) | FK11Y5V0J107Z.pdf | ||
![]() | BFC2373FL124MD | 0.12µF Film Capacitor 100V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC2373FL124MD.pdf | |
![]() | EXB-28V184JX | RES ARRAY 4 RES 180K OHM 0804 | EXB-28V184JX.pdf | |
![]() | NN511662J-50 | NN511662J-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | NN511662J-50.pdf | |
![]() | UR1L-D21W-K-501 | UR1L-D21W-K-501 TAKAMISAWA DIP | UR1L-D21W-K-501.pdf | |
![]() | MX7572LN | MX7572LN MAXIM DIP24 | MX7572LN.pdf | |
![]() | 100B-1003X | 100B-1003X Pulse SMD or Through Hole | 100B-1003X.pdf | |
![]() | AZ7809DE1 | AZ7809DE1 BCD TO-252 | AZ7809DE1.pdf | |
![]() | TACT82303BPB | TACT82303BPB TI QFP 120 | TACT82303BPB.pdf | |
![]() | NJM4565FV | NJM4565FV JRC SSOP-8P | NJM4565FV.pdf |