창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS990DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS990DN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS990DN-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS990DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS990DN-, SIS990DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM2167U1H271JZ01D | 270pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2167U1H271JZ01D.pdf | |
IHD1EB270L | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 70 mOhm Max Axial | IHD1EB270L.pdf | ||
![]() | RG1005V-2671-D-T10 | RES SMD 2.67KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005V-2671-D-T10.pdf | |
![]() | RG3216V-3650-B-T5 | RES SMD 365 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-3650-B-T5.pdf | |
![]() | CRCW020123R2FNED | RES SMD 23.2 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020123R2FNED.pdf | |
![]() | 501R18N471KV4R | 501R18N471KV4R JOH SMD or Through Hole | 501R18N471KV4R.pdf | |
![]() | AD7476SRT-REEL | AD7476SRT-REEL AnalogDevicesInc SOT-23-6 | AD7476SRT-REEL.pdf | |
![]() | 0402ESDA-04 | 0402ESDA-04 BETEK SMD or Through Hole | 0402ESDA-04.pdf | |
![]() | 29900401000 | 29900401000 LMI SMD or Through Hole | 29900401000.pdf | |
![]() | C155A | C155A GE MODULE | C155A.pdf | |
![]() | 7B12000048 | 7B12000048 TXC SMD | 7B12000048.pdf | |
![]() | PIC16C54-HIS/SO | PIC16C54-HIS/SO MICROCHIP SOP18 | PIC16C54-HIS/SO.pdf |