창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIJ420DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIJ420DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3630pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIJ420DP-T1-GE3TR SIJ420DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIJ420DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIJ420DP-, SIJ420DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
202R18N151KV4E | 150pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.062" W(3.20mm x 1.57mm) | 202R18N151KV4E.pdf | ||
SG-210SEB 10.0000MY | 10MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 1.6mA Standby (Power Down) | SG-210SEB 10.0000MY.pdf | ||
RCS04024R64FKED | RES SMD 4.64 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS04024R64FKED.pdf | ||
CMF503K6500FKEA | RES 3.65K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF503K6500FKEA.pdf | ||
FM809T53X | FM809T53X FAIRCHILD SMD or Through Hole | FM809T53X.pdf | ||
TS432CX RFG | TS432CX RFG TSC SOT-23 | TS432CX RFG.pdf | ||
ADC08324CIWM | ADC08324CIWM NS DIP | ADC08324CIWM.pdf | ||
3314J-1-501 | 3314J-1-501 BOURNS SMD | 3314J-1-501.pdf | ||
IDT72614L30PQF | IDT72614L30PQF IDT QFP | IDT72614L30PQF.pdf | ||
LT6230CS6-10 TEL:82766440 | LT6230CS6-10 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LT6230CS6-10 TEL:82766440.pdf | ||
LHi808 | LHi808 PERKINELMER DIP | LHi808.pdf | ||
PCA8521FT/061 | PCA8521FT/061 PHI SOP16 | PCA8521FT/061.pdf |