창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHU5N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHU5N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHU5N50D-E3CT SIHU5N50D-E3CT-ND SIHU5N50DE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHU5N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHU5N5, SIHU5N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
08055F223K4T2A | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055F223K4T2A.pdf | ||
ILC0805ER10NK | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | ILC0805ER10NK.pdf | ||
Y40781K40000B9L | RES 1.4K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y40781K40000B9L.pdf | ||
XC9207A18CMR | XC9207A18CMR TOREX SOT23-5 | XC9207A18CMR.pdf | ||
OT1006889 | OT1006889 OTI QFP | OT1006889.pdf | ||
EO1A50BA | EO1A50BA EPSON BGA | EO1A50BA.pdf | ||
MCP5141I/P | MCP5141I/P ORIGINAL DIP-8L | MCP5141I/P.pdf | ||
WSL1206R006F | WSL1206R006F ORIGINAL SMD or Through Hole | WSL1206R006F.pdf | ||
351-3609-020 | 351-3609-020 ELMO LCC20 | 351-3609-020.pdf | ||
184433 | 184433 LINEAR SMD or Through Hole | 184433.pdf | ||
73m2901ce-im-f | 73m2901ce-im-f maxim SMD or Through Hole | 73m2901ce-im-f.pdf | ||
SY7C122-25PC | SY7C122-25PC SHINDENG SMD or Through Hole | SY7C122-25PC.pdf |