창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP7N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SIHP7N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP7N60EGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP7N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP7N6, SIHP7N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
0034.6703 | FUSE BRD MNT 63MA 250VAC 125VDC | 0034.6703.pdf | ||
![]() | 105-391K | 390nH Unshielded Inductor 585mA 280 mOhm Max Nonstandard | 105-391K.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-88R7 | RES 88.7 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-88R7.pdf | |
![]() | H01000A0137 | H01000A0137 N/A SMD or Through Hole | H01000A0137.pdf | |
![]() | C152A-5 | C152A-5 NEC SMD or Through Hole | C152A-5.pdf | |
![]() | AT25256AN-10U-2.7 | AT25256AN-10U-2.7 ORIGINAL SOP8 | AT25256AN-10U-2.7 .pdf | |
![]() | D8108 | D8108 ORIGINAL DIP | D8108.pdf | |
![]() | TDA4863G/TDA4863-2 | TDA4863G/TDA4863-2 ORIGINAL SOP | TDA4863G/TDA4863-2.pdf | |
![]() | BFR360T | BFR360T INFINEON SOT-23 | BFR360T.pdf | |
![]() | BT9012A | BT9012A BT SMD or Through Hole | BT9012A.pdf | |
![]() | W2331B00 | W2331B00 HARWIN SMD or Through Hole | W2331B00.pdf | |
![]() | LM796BH/883 | LM796BH/883 NAXIMSEMI NULL | LM796BH/883.pdf |