창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PCT25VF512-20-4C-SAE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PCT25VF512-20-4C-SAE | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PCT25VF512-20-4C-SAE | |
| 관련 링크 | PCT25VF512-2, PCT25VF512-20-4C-SAE 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 445A22J14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 9pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22J14M31818.pdf | |
![]() | 402F30722IAT | 30.72MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30722IAT.pdf | |
| SIA453EDJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6 | SIA453EDJ-T1-GE3.pdf | ||
![]() | S0402-6N8G1C | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-6N8G1C.pdf | |
![]() | CRGH2010F237R | RES SMD 237 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F237R.pdf | |
![]() | MAX211CDBRG4 | MAX211CDBRG4 TI SOP28 | MAX211CDBRG4.pdf | |
![]() | AD806CM-Z | AD806CM-Z BB DIP | AD806CM-Z.pdf | |
![]() | OEC3027D | OEC3027D ORION DIP-42 | OEC3027D.pdf | |
![]() | TC58-289-13 TONKE | TC58-289-13 TONKE ORIGINAL SMD or Through Hole | TC58-289-13 TONKE.pdf | |
![]() | CY7C199-15ZC(SRAM 32K*8) | CY7C199-15ZC(SRAM 32K*8) Cypress TSSOP-28 | CY7C199-15ZC(SRAM 32K*8).pdf | |
![]() | VD3690 | VD3690 ELO PLCC-68 | VD3690.pdf | |
![]() | LG-170DGM-CT/T | LG-170DGM-CT/T LIGITEK SMD | LG-170DGM-CT/T.pdf |