창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH14N60EF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHH14N60EF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 266m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1449pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHH14N60EF-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHH14N60EF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH14N60E, SIHH14N60EF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
AST3TQ-T-26.000MHZ-50-C-T2 | 26MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-T-26.000MHZ-50-C-T2.pdf | ||
RG1005P-272-W-T5 | RES SMD 2.7KOHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005P-272-W-T5.pdf | ||
3DG162AJ | 3DG162AJ CHINA TO-39 | 3DG162AJ.pdf | ||
CTLL1005-FH8N2J | CTLL1005-FH8N2J CntralTech NA | CTLL1005-FH8N2J.pdf | ||
MG80486D-X25 | MG80486D-X25 INTEL DIP | MG80486D-X25.pdf | ||
EMFK500DDA100MD90N | EMFK500DDA100MD90N NIPPON EMFK | EMFK500DDA100MD90N.pdf | ||
50VXG5600M30X35 | 50VXG5600M30X35 RUBYCON DIP | 50VXG5600M30X35.pdf | ||
5NLE-200E | 5NLE-200E Littelfuse SMD or Through Hole | 5NLE-200E.pdf | ||
DSO221SR-24MHZ | DSO221SR-24MHZ KDS 2025 | DSO221SR-24MHZ.pdf | ||
AM29F010B-90J | AM29F010B-90J AM PLCC | AM29F010B-90J.pdf | ||
IRGBC30UD2 | IRGBC30UD2 IR TO263 | IRGBC30UD2.pdf | ||
SGM724 | SGM724 SGMIC SO-14 TSSOP-14 | SGM724.pdf |