창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG47N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | Super 12 for 2014 SiHG47N60E – E series MOSFETs MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 357W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG47N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHG47N6, SIHG47N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | WF9171A | WF9171A Winbond DIP18 | WF9171A.pdf | |
![]() | 06QA47H120 | 06QA47H120 ORIGINAL QFN4 | 06QA47H120.pdf | |
![]() | TC74VHCT125AFW. | TC74VHCT125AFW. TOSHIBA SOP14 | TC74VHCT125AFW..pdf | |
![]() | ADG779BKS-REEL-7 TEL:82766440 | ADG779BKS-REEL-7 TEL:82766440 AD SOT363 | ADG779BKS-REEL-7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | CEP809000LA | CEP809000LA CET TO-220 | CEP809000LA.pdf | |
![]() | LE27C256F-10X1 | LE27C256F-10X1 SANYO CDIP28 | LE27C256F-10X1.pdf | |
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![]() | 327-038-24-AO | 327-038-24-AO KARSON SMD or Through Hole | 327-038-24-AO.pdf |