창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHG47N60E | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
| 비디오 파일 | Super 12 for 2014 SiHG47N60E – E series MOSFETs MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG47N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHG47N6, SIHG47N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | SR20200F | SR20200F HY TO-220 | SR20200F.pdf | |
![]() | MX0912B351Y | MX0912B351Y NXP SOT-439 | MX0912B351Y.pdf | |
![]() | NL114B | NL114B ORIGINAL SMD or Through Hole | NL114B.pdf | |
![]() | SMCJ280A | SMCJ280A ORIGINAL SMD or Through Hole | SMCJ280A.pdf | |
![]() | ZX95-5150A-S+ | ZX95-5150A-S+ Mini-circuits SMD or Through Hole | ZX95-5150A-S+.pdf | |
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