창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C10S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C10S-FDITR BZX84C10S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C10S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C1, BZX84C10S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 416F271X3AKT | 27.12MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3AKT.pdf | |
![]() | CMF604M2000FKR6 | RES 4.2M OHM 1W 1% AXIAL | CMF604M2000FKR6.pdf | |
![]() | 57V161610DTC-6I | 57V161610DTC-6I HYUNDAI TSOP50 | 57V161610DTC-6I.pdf | |
![]() | T492C475J020BS | T492C475J020BS KEMET SMD | T492C475J020BS.pdf | |
![]() | MC1413DR/ MC1413BDR | MC1413DR/ MC1413BDR ORIGINAL DIP SOP | MC1413DR/ MC1413BDR.pdf | |
![]() | TPS3828-30DBVR | TPS3828-30DBVR TI SOT23-5 | TPS3828-30DBVR.pdf | |
![]() | MNE-300 | MNE-300 OKI SMD or Through Hole | MNE-300.pdf | |
![]() | A3934SLQT | A3934SLQT ALLEGRO SOP | A3934SLQT.pdf | |
![]() | DG303AHR | DG303AHR HAR CDIP | DG303AHR.pdf | |
![]() | 1008CS-222XJBC(2.2U) | 1008CS-222XJBC(2.2U) ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008CS-222XJBC(2.2U).pdf | |
![]() | EVM1KSW30B32 | EVM1KSW30B32 PANASONIC 4X4-300R | EVM1KSW30B32.pdf | |
![]() | AT58A07G-07 | AT58A07G-07 ATMEL SMD or Through Hole | AT58A07G-07.pdf |