창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7848BDP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7848BDP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7848BDP-T1-E3-ND SI7848BDP-T1-E3TR SI7848BDPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7848BDP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7848BDP, SI7848BDP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GCM1885C1H332JA16J | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H332JA16J.pdf | |
![]() | MCR18EZHJ475 | RES SMD 4.7M OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ475.pdf | |
![]() | RCP1206W510RJS6 | RES SMD 510 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W510RJS6.pdf | |
![]() | TMP04T | TMP04T AD SOP | TMP04T.pdf | |
![]() | HD14516BG | HD14516BG HIT CDIP-18 | HD14516BG.pdf | |
![]() | S853S4S3RP | S853S4S3RP Littelfuse SMD | S853S4S3RP.pdf | |
![]() | STT130GK16B | STT130GK16B Sirectifier 130A1600V | STT130GK16B.pdf | |
![]() | NJM34064A | NJM34064A JRC SOP8 | NJM34064A.pdf | |
![]() | TC1270ANMVCTTR | TC1270ANMVCTTR MICROCHIP 5 SOT-23 T R | TC1270ANMVCTTR.pdf | |
![]() | MC1808L | MC1808L MOT DIP | MC1808L.pdf | |
![]() | 25NA220M10X12.5 | 25NA220M10X12.5 Rubycon DIP-2 | 25NA220M10X12.5.pdf | |
![]() | 17C42A-16/PT | 17C42A-16/PT ORIGINAL SMD or Through Hole | 17C42A-16/PT.pdf |