창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7636DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7636DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7636DP-T1-E3TR SI7636DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7636DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7636DP, SI7636DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IL-AG5-14P-D3T2-A | IL-AG5-14P-D3T2-A JAE SMD or Through Hole | IL-AG5-14P-D3T2-A.pdf | |
![]() | NFM61R30T472T1M00-57(NFE61PT472C1H9L) | NFM61R30T472T1M00-57(NFE61PT472C1H9L) MuRata 1808-472 | NFM61R30T472T1M00-57(NFE61PT472C1H9L).pdf | |
![]() | V65P100F1 | V65P100F1 HAR SIP | V65P100F1.pdf | |
![]() | 2SD1816S | 2SD1816S ORIGINAL TO-251 | 2SD1816S.pdf | |
![]() | DAC800BI-V | DAC800BI-V BB SMD or Through Hole | DAC800BI-V.pdf | |
![]() | SG-531P 11.0000MC | SG-531P 11.0000MC EPSON SMD or Through Hole | SG-531P 11.0000MC.pdf | |
![]() | FA4A4M | FA4A4M NEC SOT-23 | FA4A4M.pdf | |
![]() | GRMX7R221K50 | GRMX7R221K50 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRMX7R221K50.pdf | |
![]() | FST-T8/T5-243L | FST-T8/T5-243L ORIGINAL SMD or Through Hole | FST-T8/T5-243L.pdf | |
![]() | BGY292 | BGY292 PHI QFN-17 | BGY292.pdf | |
![]() | 1N6472JAN | 1N6472JAN Microsemi NA | 1N6472JAN.pdf |