창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7636DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7636DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7636DP-T1-E3TR SI7636DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7636DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7636DP, SI7636DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | FN3025HL-10-71 | FILTER 3-PHASE ADV EMC/RFI 10A | FN3025HL-10-71.pdf | |
![]() | CMF551M2000JNRE | RES 1.2M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF551M2000JNRE.pdf | |
![]() | MGSF1N02L | MGSF1N02L MOTO SOT-23 | MGSF1N02L.pdf | |
![]() | RC240DPI | RC240DPI NA PLCC | RC240DPI.pdf | |
![]() | 6433802B69HV | 6433802B69HV ORIGINAL QFP-64 | 6433802B69HV.pdf | |
![]() | TS488/489 | TS488/489 ST SMD or Through Hole | TS488/489.pdf | |
![]() | 1297F | 1297F LUCENT BGA | 1297F.pdf | |
![]() | HI3-201 | HI3-201 ORIGINAL DIP | HI3-201.pdf | |
![]() | MGSB3216A300T-LF | MGSB3216A300T-LF ORIGINAL SMD | MGSB3216A300T-LF.pdf | |
![]() | SD83101 | SD83101 AUK SOT23 | SD83101.pdf | |
![]() | GDM640000033(5A0509)MDC STUD L2) | GDM640000033(5A0509)MDC STUD L2) ORIGINAL SMD or Through Hole | GDM640000033(5A0509)MDC STUD L2).pdf | |
![]() | K4D263238D-GC33 | K4D263238D-GC33 SAMSUNG GBA | K4D263238D-GC33.pdf |