창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7463ADP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7463ADP-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 144nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7463ADP-T1-GE3-ND SI7463ADP-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7463ADP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7463ADP, SI7463ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | C921U300JYNDBAWL20 | 30pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U300JYNDBAWL20.pdf | |
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![]() | E2B-M30KS10-WP-B1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | E2B-M30KS10-WP-B1 2M.pdf | |
![]() | MAX251CPD+ | MAX251CPD+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX251CPD+.pdf | |
![]() | CAG14 | CAG14 ORIGINAL TO-5 | CAG14.pdf | |
![]() | L7809CZT | L7809CZT ST SMD or Through Hole | L7809CZT.pdf | |
![]() | SEP8505-3 | SEP8505-3 HoneyweLL SMD or Through Hole | SEP8505-3.pdf | |
![]() | 86260026010894 | 86260026010894 KYOCERAE SMD or Through Hole | 86260026010894.pdf | |
![]() | RD38F2020W0ZTQ0,SB48 | RD38F2020W0ZTQ0,SB48 INTEL T-PBGA88 | RD38F2020W0ZTQ0,SB48.pdf | |
![]() | RGP20MT | RGP20MT VSHAY DO-15 | RGP20MT.pdf |