Infineon Technologies IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF6645TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
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내부 부품 번호EIS-IRF6645TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF6645(TR)PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRF6645 Saber Model
IRF6645 Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 기타MSL Update 20/Feb/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.7A(Ta), 25A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs35m옴 @ 5.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.9V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds890pF @ 25V
전력 - 최대2.2W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스DirectFET™ 아이소메트릭 SJ
공급 장치 패키지DIRECTFET™ SJ
표준 포장 4,800
다른 이름IRF6645TRPBFTR
SP001562050
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF6645TRPBF
관련 링크IRF6645, IRF6645TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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