Vishay BC Components SI7457DP-T1-GE3

SI7457DP-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI7457DP-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI7457DP-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,584.55433
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI7457DP-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI7457DP-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI7457DP-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI7457DP-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI7457DP-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI7457DP-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI7457DP
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C28A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs42m옴 @ 7.9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs160nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5230pF @ 50V
전력 - 최대83W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SO-8
공급 장치 패키지PowerPAK® SO-8
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI7457DP-T1-GE3
관련 링크SI7457DP-, SI7457DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI7457DP-T1-GE3 의 관련 제품
RES SMD 2.55M OHM 1% 1/10W 0603 AA0603FR-072M55L.pdf
RES SMD 523K OHM 0.1% 1/8W 0805 RP73D2A523KBTDF.pdf
NTC Thermistor 10k 0805 (2012 Metric) SM08 103370.pdf
USBN9603SLBX/NOPB NATIONAL SMD or Through Hole USBN9603SLBX/NOPB.pdf
162CMQ030 ORIGINAL SMD or Through Hole 162CMQ030.pdf
LC74782M SANYO SOP-24 LC74782M.pdf
2N6798 SILICONIX CAN3 2N6798.pdf
MAX995ESD-1 ORIGINAL SMD or Through Hole MAX995ESD-1.pdf
LA5-16V473MS55 ELNA DIP LA5-16V473MS55.pdf
TA7807LF TOS TO-252 TA7807LF.pdf
MG-3020(32.0000MHZ) EPSON DIP14L MG-3020(32.0000MHZ).pdf
109-019C SANYO SMD or Through Hole 109-019C.pdf