창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7386DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7386DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7386DP-T1-E3TR SI7386DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7386DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7386DP, SI7386DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
594D476X0016B2T | 47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 1611 (4028 Metric) 720 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 594D476X0016B2T.pdf | ||
MLX73290RLQ-ABA-000-RE | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 300MHz ~ 960MHz 32-VFQFN Exposed Pad | MLX73290RLQ-ABA-000-RE.pdf | ||
OP09EPZ | OP09EPZ ADI DIP | OP09EPZ.pdf | ||
SG-645PCP38.992000MHZC | SG-645PCP38.992000MHZC EPSON SMD4 | SG-645PCP38.992000MHZC.pdf | ||
DI156 | DI156 PEC SMD or Through Hole | DI156.pdf | ||
HR901129A | HR901129A HR RJ45 | HR901129A.pdf | ||
PS77B-S03 | PS77B-S03 POWER TO-220-5 | PS77B-S03.pdf | ||
391PF | 391PF K SMD or Through Hole | 391PF.pdf | ||
KMH35VSSN8200M22FE0 | KMH35VSSN8200M22FE0 Chemi-con NA | KMH35VSSN8200M22FE0.pdf | ||
T2016S | T2016S INNET SOP-40 | T2016S.pdf | ||
5CS1K8-5% | 5CS1K8-5% ATE SMD or Through Hole | 5CS1K8-5%.pdf | ||
EP2036-150R1 | EP2036-150R1 PARA LED | EP2036-150R1.pdf |