Vishay BC Components SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI7322DN-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI7322DN-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

58950 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 567.84499
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI7322DN-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI7322DN-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI7322DN-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI7322DN-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI7322DN-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI7322DN-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI7322DN
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
카탈로그 페이지 1655 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs58m옴 @ 5.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds750pF @ 50V
전력 - 최대52W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® 1212-8
공급 장치 패키지PowerPAK® 1212-8
표준 포장 3,000
다른 이름SI7322DN-T1-GE3TR
SI7322DNT1GE3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI7322DN-T1-GE3
관련 링크SI7322DN-, SI7322DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI7322DN-T1-GE3 의 관련 제품
Accelerometer X, Y, Z Axis ±200g 6kHz SMD 832M1-0200.pdf
N77028S34B1 HARRIS SMD or Through Hole N77028S34B1.pdf
ITF39001 ITF SMD or Through Hole ITF39001.pdf
PROM-95DBK084F5B2F PROMATE SMD or Through Hole PROM-95DBK084F5B2F.pdf
TR3A685M016C1500 VISHAY SMD TR3A685M016C1500.pdf
S-8351A27MC-J2M-T2 G IP SMD or Through Hole S-8351A27MC-J2M-T2 G.pdf
SHV-05J SANKEN SMD or Through Hole SHV-05J.pdf
CXA1257Q SONY SSOP CXA1257Q.pdf
LFE2-6E-5TN144I LATTICE SMD or Through Hole LFE2-6E-5TN144I.pdf
54101-T30-03 FCI con 54101-T30-03.pdf