창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7228DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7228DN | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 8.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 23W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7228DN-T1-GE3-ND SI7228DN-T1-GE3TR SI7228DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7228DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7228DN-, SI7228DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CRCW08055K60JNEA | RES SMD 5.6K OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08055K60JNEA.pdf | ||
CMF55360K00FKBF | RES 360K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55360K00FKBF.pdf | ||
8183A | 8183A AD SMD or Through Hole | 8183A.pdf | ||
CBY160808A102T | CBY160808A102T Fenghua SMD | CBY160808A102T.pdf | ||
KE44B-26BN/8GB-Q | KE44B-26BN/8GB-Q KSI SMD or Through Hole | KE44B-26BN/8GB-Q.pdf | ||
LFC32TB47N | LFC32TB47N KOA 3225-47N | LFC32TB47N.pdf | ||
DS715NND03 | DS715NND03 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS715NND03.pdf | ||
SCD0703T-220M | SCD0703T-220M CHILISIN CD73 | SCD0703T-220M.pdf | ||
MAX638AMJA/883B | MAX638AMJA/883B MAXIM CDIP | MAX638AMJA/883B.pdf | ||
LM8364BALMF32TR | LM8364BALMF32TR NS SMD or Through Hole | LM8364BALMF32TR.pdf | ||
EPM7160ARC208-10 | EPM7160ARC208-10 ALTERA QFP | EPM7160ARC208-10.pdf |