창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI501-PROG-DAXR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 단종/ EOL | CMEMS EOL 30/Jun/2015 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | CMEMS® Si501 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 유형 | CMEMS® | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 32kHz ~ 100MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화, 대기 | |
| 출력 | LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.71 V ~ 3.63 V | |
| 주파수 안정도 | - | |
| 주파수 안정도(총) | ±20ppm, ±30ppm, ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | - | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI501-PROG-DAXR-ND SI501-PROG-DAXRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI501-PROG-DAXR | |
| 관련 링크 | SI501-PRO, SI501-PROG-DAXR 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 | |
![]() | C2012CH2W392K125AA | 3900pF 450V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH2W392K125AA.pdf | |
![]() | GRM1556P1H3R8CZ01D | 3.8pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556P1H3R8CZ01D.pdf | |
![]() | SPD03N50C3 | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | SPD03N50C3.pdf | |
![]() | CDR156NP-101L | CDR156NP-101L SUMIDA SMD or Through Hole | CDR156NP-101L.pdf | |
![]() | MCR100-6 T/R | MCR100-6 T/R UTC TO92 | MCR100-6 T/R.pdf | |
![]() | 21528N | 21528N ORIGINAL NEW | 21528N.pdf | |
![]() | FDB035N | FDB035N NS SIP | FDB035N.pdf | |
![]() | Z0402SF | Z0402SF ST TO-202-3 | Z0402SF.pdf | |
![]() | 780024AGC154 | 780024AGC154 NEC QFP | 780024AGC154.pdf | |
![]() | NRWS470M50V6.3X11F | NRWS470M50V6.3X11F NIC DIP | NRWS470M50V6.3X11F.pdf | |
![]() | LTC3859IFE#PBF/EFE | LTC3859IFE#PBF/EFE LT SMD or Through Hole | LTC3859IFE#PBF/EFE.pdf | |
![]() | 33.2600M | 33.2600M EPSON SG-636 | 33.2600M.pdf |