창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4812BDY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4812BDY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | LITTLE FOOT® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4812BDY-T1-GE3TR SI4812BDYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4812BDY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4812BDY, SI4812BDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1839082633 | 82pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) | MKP1839082633.pdf | |
![]() | RT0603BRE07312KL | RES SMD 312K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE07312KL.pdf | |
![]() | RP73D1J274RBTG | RES SMD 274 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J274RBTG.pdf | |
![]() | UPC78L12T-E1(XHZ) | UPC78L12T-E1(XHZ) NEC SOT89 | UPC78L12T-E1(XHZ).pdf | |
![]() | UTC8129L-AE3-2-R | UTC8129L-AE3-2-R UTC SMD or Through Hole | UTC8129L-AE3-2-R.pdf | |
![]() | 9200-12v | 9200-12v COTO DIP | 9200-12v.pdf | |
![]() | NJM3772 | NJM3772 JRC DIP | NJM3772.pdf | |
![]() | M28W320CB-90N6T | M28W320CB-90N6T ST TSOP | M28W320CB-90N6T.pdf | |
![]() | S1L50552F21S2 | S1L50552F21S2 SEIKO EPSON SMD or Through Hole | S1L50552F21S2.pdf | |
![]() | SKLL22A | SKLL22A TSC SMADO-214AC | SKLL22A.pdf | |
![]() | DF13A-40DP-1.25V(**) | DF13A-40DP-1.25V(**) Hirose SMD or Through Hole | DF13A-40DP-1.25V(**).pdf |