창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4670DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4670DY | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4670DY-T1-GE3TR SI4670DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4670DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4670DY-, SI4670DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | QXK2J104KTP | 0.1µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.252" W (18.50mm x 6.40mm) | QXK2J104KTP.pdf | |
![]() | PC-302R000KE66BKT | RES CHAS MNT 2 OHM 10% | PC-302R000KE66BKT.pdf | |
![]() | AAT009-10E | TMR ANGLE SENSOR 5MOHM | AAT009-10E.pdf | |
![]() | SS12082R5NSB | SS12082R5NSB AOBO SMD or Through Hole | SS12082R5NSB.pdf | |
![]() | MB63H615 | MB63H615 FUJITSU DIP40 | MB63H615.pdf | |
![]() | OB2539AP | OB2539AP ORIGINAL DIP-8 | OB2539AP.pdf | |
![]() | S29AL016D908F101 | S29AL016D908F101 SPANSION SMD or Through Hole | S29AL016D908F101.pdf | |
![]() | XC1704-PC44ASJ | XC1704-PC44ASJ XILINX PLCC44 | XC1704-PC44ASJ.pdf | |
![]() | ST68-50T1KIE3 | ST68-50T1KIE3 VISHAY SMD or Through Hole | ST68-50T1KIE3.pdf | |
![]() | 13001/CH83 | 13001/CH83 CHANGHAO SMD or Through Hole | 13001/CH83.pdf | |
![]() | UPD703166YF1-M25-FA5 | UPD703166YF1-M25-FA5 NEC QFP | UPD703166YF1-M25-FA5.pdf | |
![]() | PBSS9110T/DG | PBSS9110T/DG NXP SOT-23 | PBSS9110T/DG.pdf |