창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4668DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4668DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1654pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4668DY-T1-GE3TR SI4668DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4668DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4668DY-, SI4668DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F38423ILR | 38.4MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38423ILR.pdf | |
![]() | RG3216N-1402-B-T5 | RES SMD 14K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1402-B-T5.pdf | |
![]() | ON527 | ON527 HAR CAN | ON527.pdf | |
![]() | MAX294CWE-W | MAX294CWE-W MAXIM SOP-16 | MAX294CWE-W.pdf | |
![]() | 0D-F63A8-DMCE-C | 0D-F63A8-DMCE-C NEC SMD or Through Hole | 0D-F63A8-DMCE-C.pdf | |
![]() | LM2989AIM1.8 | LM2989AIM1.8 NS SMD or Through Hole | LM2989AIM1.8.pdf | |
![]() | 1000V103J 10NF 0.01UF | 1000V103J 10NF 0.01UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 1000V103J 10NF 0.01UF.pdf | |
![]() | SFH6752-X017T | SFH6752-X017T VISHAY SMD-8 | SFH6752-X017T.pdf | |
![]() | SN74LV273DWR | SN74LV273DWR TI SO-20-7.2 | SN74LV273DWR.pdf | |
![]() | OPA101SM/883Q | OPA101SM/883Q ORIGINAL SMD or Through Hole | OPA101SM/883Q.pdf |