창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4491EDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4491EDY-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 153nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4620pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4491EDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4491EDY, SI4491EDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VI30100S-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO262AA | VI30100S-E3/4W.pdf | ||
![]() | RCP2512W75R0GS6 | RES SMD 75 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W75R0GS6.pdf | |
![]() | 54F543DC | 54F543DC NSC CDIP | 54F543DC.pdf | |
![]() | ISDB40G | ISDB40G Isocom NA | ISDB40G.pdf | |
![]() | AM29DL163DB-120EF | AM29DL163DB-120EF AMD TSOP48 | AM29DL163DB-120EF.pdf | |
![]() | CM105B105K06AT | CM105B105K06AT KYOCERA SMD or Through Hole | CM105B105K06AT.pdf | |
![]() | GBJ807G | GBJ807G LITEON SMD or Through Hole | GBJ807G.pdf | |
![]() | ASL12W-K-B05 | ASL12W-K-B05 TAKAMISAWA SMD or Through Hole | ASL12W-K-B05.pdf | |
![]() | 5216ST | 5216ST ORIGINAL SMD or Through Hole | 5216ST.pdf | |
![]() | CTX53 | CTX53 ORIGINAL SMD or Through Hole | CTX53.pdf | |
![]() | LS688DW | LS688DW ORIGINAL SOP | LS688DW.pdf | |
![]() | RFD3N08 | RFD3N08 ORIGINAL TO | RFD3N08.pdf |