창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ035N03MS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ035N03MS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ035N03MSG BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSGINTR BSZ035N03MSGXT SP000311511 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ035N03MS G | |
관련 링크 | BSZ035N, BSZ035N03MS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 5219322F | Yellow 590nm LED Indication - Discrete 7.5V Radial | 5219322F.pdf | |
![]() | ELXZ6R3ESS682ML25S | ELXZ6R3ESS682ML25S NIPPON DIP | ELXZ6R3ESS682ML25S.pdf | |
![]() | 04M43 | 04M43 MOTO DIP | 04M43.pdf | |
![]() | PCA84C640/049 | PCA84C640/049 PHI DIP42 | PCA84C640/049.pdf | |
![]() | SVC211-SPA-C-AL | SVC211-SPA-C-AL SANYO TO-92 | SVC211-SPA-C-AL.pdf | |
![]() | EN29LV040-70PC | EN29LV040-70PC EON DIP32 | EN29LV040-70PC.pdf | |
![]() | BU1254BK | BU1254BK TEXAS TSSOP14 | BU1254BK.pdf | |
![]() | D669 TO-126 | D669 TO-126 ORIGINAL SMD or Through Hole | D669 TO-126.pdf | |
![]() | IDB15E60 | IDB15E60 INFINEON PG-TO220-3 | IDB15E60.pdf | |
![]() | SMA020753K6FE | SMA020753K6FE VISHAY SMD or Through Hole | SMA020753K6FE.pdf | |
![]() | LM150X08 | LM150X08 LG SMD or Through Hole | LM150X08.pdf | |
![]() | HE2C827M22050 | HE2C827M22050 samwha DIP-2 | HE2C827M22050.pdf |