창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4056DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4056DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 5.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4056DY-T1-GE3TR SI4056DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4056DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4056DY-, SI4056DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKP385468025JFP2B0 | 0.68µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP385468025JFP2B0.pdf | |
![]() | RMCF1210JT820R | RES SMD 820 OHM 5% 1/2W 1210 | RMCF1210JT820R.pdf | |
![]() | MC14081P | MC14081P MOT DIP | MC14081P.pdf | |
![]() | 2SD1651-L | 2SD1651-L PHI TO-3P | 2SD1651-L.pdf | |
![]() | TS5A23167DUCR | TS5A23167DUCR TI ROHS | TS5A23167DUCR.pdf | |
![]() | HD74LVC16835TE01 | HD74LVC16835TE01 HIT TSSOP | HD74LVC16835TE01.pdf | |
![]() | MT1616E/BYS | MT1616E/BYS MOT QFP | MT1616E/BYS.pdf | |
![]() | BSS192(KB) | BSS192(KB) PHILIPS SOT89 | BSS192(KB).pdf | |
![]() | ATMEGA48V-12MJ | ATMEGA48V-12MJ ATMEL QFN32 | ATMEGA48V-12MJ.pdf | |
![]() | LZ248BP | LZ248BP SHARP DIP | LZ248BP.pdf | |
![]() | JT-TL021 | JT-TL021 JiaTong SMD or Through Hole | JT-TL021.pdf |