창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3473CDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3473CDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 8.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2010pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 4.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3473CDV-T1-GE3TR SI3473CDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3473CDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3473CDV, SI3473CDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 36911600440 | FUSE BRD MNT 1.6A 300VAC RADIAL | 36911600440.pdf | |
![]() | TNPW060369K8BEEA | RES SMD 69.8KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060369K8BEEA.pdf | |
![]() | PTN1206E6042BST1 | RES SMD 60.4K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E6042BST1.pdf | |
![]() | TNPU080545K3BZEN00 | RES SMD 45.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU080545K3BZEN00.pdf | |
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![]() | AD800AK | AD800AK ADI SOP8 | AD800AK.pdf | |
![]() | FMW6T98 | FMW6T98 ROHM SMD or Through Hole | FMW6T98.pdf | |
![]() | STAC9721T LC3P35 | STAC9721T LC3P35 SIGMATEL QFP | STAC9721T LC3P35.pdf | |
![]() | SN74HC164DWR | SN74HC164DWR TI SOP3.9 | SN74HC164DWR.pdf | |
![]() | EL8302IUZ-T7 | EL8302IUZ-T7 INTERSIL QSOP16 | EL8302IUZ-T7.pdf | |
![]() | MDD161-02N1 | MDD161-02N1 IXYS SMD or Through Hole | MDD161-02N1.pdf | |
![]() | TCFGC1C476M12R | TCFGC1C476M12R ROHM SMD or Through Hole | TCFGC1C476M12R.pdf |