창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HCT802TXV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HCT802(TX,TXV) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | TT Electronics/Optek Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A, 1.1A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SMD | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HCT802TXV | |
| 관련 링크 | HCT80, HCT802TXV 데이터 시트, TT Electronics/Optek Technology 에이전트 유통 | |
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![]() | 1-292161-0 | 1-292161-0 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-292161-0.pdf | |
![]() | EI370011 | EI370011 AKI DIP64 | EI370011.pdf | |
![]() | GDSJ-26M-4512 | GDSJ-26M-4512 INFNEON SMD or Through Hole | GDSJ-26M-4512.pdf | |
![]() | M67799MB-21 | M67799MB-21 MIT SMD or Through Hole | M67799MB-21.pdf |