창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3458BDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3458BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 3.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3458BDV-T1-GE3-ND SI3458BDV-T1-GE3TR SI3458BDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3458BDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3458BDV, SI3458BDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
E36D800CPN124MEM9M | 120000µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D800CPN124MEM9M.pdf | ||
C1808C103KFRAC7800 | 10000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808C103KFRAC7800.pdf | ||
7280EF | 7280EF MICREL MSOP-8 | 7280EF.pdf | ||
BUF63U | BUF63U BB SOP-8 | BUF63U.pdf | ||
M28259ES-LF-Z | M28259ES-LF-Z MPS SOP-8 | M28259ES-LF-Z.pdf | ||
3320847329 | 3320847329 EBMP QFP | 3320847329.pdf | ||
FH28-60S-0.5SH(87) | FH28-60S-0.5SH(87) HRS 60P | FH28-60S-0.5SH(87).pdf | ||
TM15T3B-H | TM15T3B-H MITSUBISHI SMD or Through Hole | TM15T3B-H.pdf | ||
926728-1 | 926728-1 TYCO SMD or Through Hole | 926728-1.pdf | ||
12MHZ(49S) | 12MHZ(49S) UNI 49S-2P | 12MHZ(49S).pdf | ||
B8B2G.06 | B8B2G.06 AMD CDIP-40 | B8B2G.06.pdf | ||
4721844104400 | 4721844104400 kontec-comatel SMD or Through Hole | 4721844104400.pdf |