창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3437DV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3437DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3437DV-T1-GE3TR SI3437DVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3437DV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3437DV-, SI3437DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RG2012V-9531-W-T5 | RES SMD 9.53KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-9531-W-T5.pdf | |
![]() | EXB-V8V752JV | RES ARRAY 4 RES 7.5K OHM 1206 | EXB-V8V752JV.pdf | |
![]() | ADR-E200PRB | ADR-E200PRB Addtron SMD or Through Hole | ADR-E200PRB.pdf | |
![]() | RF250 | RF250 IR SMD or Through Hole | RF250.pdf | |
![]() | 74HC541D,653 | 74HC541D,653 NXP SMD or Through Hole | 74HC541D,653.pdf | |
![]() | SZ2772T3 | SZ2772T3 Motorola SMD or Through Hole | SZ2772T3.pdf | |
![]() | MOC3052M-FAIRCHILD | MOC3052M-FAIRCHILD ORIGINAL SMD or Through Hole | MOC3052M-FAIRCHILD.pdf | |
![]() | 1413B | 1413B MICRON BGA | 1413B.pdf | |
![]() | 74LVC163PW+112 | 74LVC163PW+112 MSL SMD or Through Hole | 74LVC163PW+112.pdf | |
![]() | W681512SG-T | W681512SG-T nuvoton SOP | W681512SG-T.pdf | |
![]() | 1468881 | 1468881 TYCO SOP | 1468881.pdf | |
![]() | CYM1831PZ-25C | CYM1831PZ-25C CYPRESSSEMICONDUCTORCORP CYP | CYM1831PZ-25C.pdf |