창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3437DV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3437DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3437DV-T1-GE3TR SI3437DVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3437DV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3437DV-, SI3437DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
875115452001 | 68µF 20V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 20 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 875115452001.pdf | ||
ASTMUPCV-33-66.666MHZ-LJ-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-66.666MHZ-LJ-E-T3.pdf | ||
ISO7841FDWR | General Purpose Digital Isolator 5700Vrms 4 Channel 100Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ISO7841FDWR.pdf | ||
ERJ-XGNJ473Y | RES SMD 47K OHM 5% 1/32W 01005 | ERJ-XGNJ473Y.pdf | ||
ESR10EZPJ115 | RES SMD 1.1M OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ115.pdf | ||
1565357-3 | 1565357-3 AMP/tyco SMD-BTB | 1565357-3.pdf | ||
MC1595P | MC1595P MOT CDIP | MC1595P.pdf | ||
HD32112P | HD32112P HIT DIP28 | HD32112P.pdf | ||
HI8282UT | HI8282UT MICROCHIP NULL | HI8282UT.pdf | ||
GSGS8314-08 C | GSGS8314-08 C TEXAS DIP | GSGS8314-08 C.pdf | ||
MC9807P | MC9807P Motorola SMD or Through Hole | MC9807P.pdf | ||
TJA1055T/3/C+518 | TJA1055T/3/C+518 NXP SMD or Through Hole | TJA1055T/3/C+518.pdf |