Vishay BC Components SI3424CDV-T1-GE3

SI3424CDV-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI3424CDV-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI3424CDV-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 179.39767
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI3424CDV-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI3424CDV-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI3424CDV-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI3424CDV-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI3424CDV-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI3424CDV-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI3424CDV-T1-GE3
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs26m옴 @ 7.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds405pF @ 15V
전력 - 최대3.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI3424CDV-T1-GE3
관련 링크SI3424CDV, SI3424CDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI3424CDV-T1-GE3 의 관련 제품
TVS DIODE 342VWM 548VC AXIAL P6KE400CAE3/TR13.pdf
RES SMD 5.9K OHM 1% 1/8W 0805 MCR10ERTF5901.pdf
Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder P51-3000-A-Z-I12-20MA-000-000.pdf
AD8344ACPZ AnalogDevicesInc SMD or Through Hole AD8344ACPZ.pdf
SP29300 HC TO263220 SP29300.pdf
M66507-748 OKI PLCC M66507-748.pdf
PVA1352P IOR DIP4 PVA1352P.pdf
CM100505-33NJL BOURNS SMD CM100505-33NJL.pdf
BA211T IDEC SMD or Through Hole BA211T.pdf
MT29E128G08CMCBBH2-12 MICRON BGA MT29E128G08CMCBBH2-12.pdf
TMK316B7106ML-T TAIYO SMD TMK316B7106ML-T.pdf