창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1442DH-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1442DH | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1010pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1442DH-T1-GE3TR SI1442DHT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1442DH-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1442DH-, SI1442DH-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
PHE450MR7220JR06L2 | 2.2µF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.614" L x 0.748" W (41.00mm x 19.00mm) | PHE450MR7220JR06L2.pdf | ||
![]() | 199D475X9050D2V1E3 | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V Radial 0.236" Dia (6.00mm) | 199D475X9050D2V1E3.pdf | |
![]() | BZT585B2V4T-7 | DIODE ZENER 2.4V 350MW SOD523 | BZT585B2V4T-7.pdf | |
![]() | ERJ-S02F4530X | RES SMD 453 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F4530X.pdf | |
![]() | CX-413-C5 | SENSOR PHOTO 15M 12-24VDC NPN | CX-413-C5.pdf | |
![]() | LGA2519-3101 | LGA2519-3101 SMK SMD or Through Hole | LGA2519-3101.pdf | |
![]() | LLL315R71A474MA11E | LLL315R71A474MA11E MURATA SMD or Through Hole | LLL315R71A474MA11E.pdf | |
![]() | 2SK58 | 2SK58 SNY N A | 2SK58.pdf | |
![]() | MC1O8NP-682 | MC1O8NP-682 SUMIDA SMD or Through Hole | MC1O8NP-682.pdf | |
![]() | 440055-6 | 440055-6 TYCO SMD or Through Hole | 440055-6.pdf | |
![]() | 54F75DMQB | 54F75DMQB NS CDIP | 54F75DMQB.pdf |