창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1401EDH-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1401EDH | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 34m옴 @ 5.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1401EDH-T1-GE3TR SI1401EDHT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1401EDH-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1401EDH, SI1401EDH-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
12062A220JAT2A | 22pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062A220JAT2A.pdf | ||
VJ1808A120KBCAT4X | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A120KBCAT4X.pdf | ||
3386H-DF6-203LF | 20k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386H-DF6-203LF.pdf | ||
CMF65500R00FKR6 | RES 500 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65500R00FKR6.pdf | ||
LM629MX-8/NOPB | LM629MX-8/NOPB NS SOP24 | LM629MX-8/NOPB.pdf | ||
P89C51UBPND/C:01 | P89C51UBPND/C:01 NXP SMD or Through Hole | P89C51UBPND/C:01.pdf | ||
SN105117PZP | SN105117PZP TI TQFP100 | SN105117PZP.pdf | ||
Y1-400VAC222M | Y1-400VAC222M WM Y5U | Y1-400VAC222M.pdf | ||
IFXB100N50P | IFXB100N50P IXYS TO3P | IFXB100N50P.pdf | ||
SSM-114T-SV-K | SSM-114T-SV-K SAMTEC SMD or Through Hole | SSM-114T-SV-K.pdf | ||
AM29F016B-90EL | AM29F016B-90EL AMD SMD or Through Hole | AM29F016B-90EL.pdf |