창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1022R-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si1022R | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 330mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.25옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75A | |
공급 장치 패키지 | SC-75A | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1022R-T1-GE3TR SI1022RT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1022R-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1022R-, SI1022R-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | E36D400LPN632UA54N | 6300µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D400LPN632UA54N.pdf | |
![]() | TZMA10-GS08 | DIODE ZENER 10V 500MW SOD80 | TZMA10-GS08.pdf | |
![]() | 1210COG103J050E07 | 1210COG103J050E07 EPCOS 1210 | 1210COG103J050E07.pdf | |
![]() | SM SLS-V34-3.3V PROD0272 | SM SLS-V34-3.3V PROD0272 TEL SMD or Through Hole | SM SLS-V34-3.3V PROD0272.pdf | |
![]() | 6412-1B | 6412-1B TAIWAN SMD or Through Hole | 6412-1B.pdf | |
![]() | ADDOS | ADDOS ADI MSOP10 | ADDOS.pdf | |
![]() | RV-1215D | RV-1215D RECOM SMD or Through Hole | RV-1215D.pdf | |
![]() | 2SC4672(DK) | 2SC4672(DK) ROHM SOT89 | 2SC4672(DK).pdf | |
![]() | L485S | L485S ST DIP-16 | L485S.pdf | |
![]() | C1608X5R1C105KTOKON | C1608X5R1C105KTOKON TDK SMD | C1608X5R1C105KTOKON.pdf | |
![]() | 225053415652 | 225053415652 YAGEO SMD | 225053415652.pdf | |
![]() | 1-928776-5 | 1-928776-5 AMP ORIGINAL | 1-928776-5.pdf |