창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1022R-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si1022R | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 330mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.25옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75A | |
공급 장치 패키지 | SC-75A | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1022R-T1-GE3TR SI1022RT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1022R-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1022R-, SI1022R-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D220JXCAC | 22pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D220JXCAC.pdf | |
![]() | WFH160L250JE | RES CHAS MNT 250 OHM 5% 160W | WFH160L250JE.pdf | |
![]() | 87CH21P-2262 | 87CH21P-2262 JAPAN SMD or Through Hole | 87CH21P-2262.pdf | |
![]() | 3302/50 | 3302/50 m SMD or Through Hole | 3302/50.pdf | |
![]() | P14 | P14 ORIGINAL SMD or Through Hole | P14.pdf | |
![]() | SMR40200 | SMR40200 SANKEN TO3P-5 | SMR40200.pdf | |
![]() | GSC38LG415PI06/PI07 | GSC38LG415PI06/PI07 MOT PLCC68 | GSC38LG415PI06/PI07.pdf | |
![]() | AD5291 | AD5291 ADI TSSOP | AD5291.pdf | |
![]() | PAM8401ASM | PAM8401ASM PAM MSOP-10 | PAM8401ASM.pdf | |
![]() | FCCD321A2 | FCCD321A2 FC SMD or Through Hole | FCCD321A2.pdf | |
![]() | FKC03-12S05-SMD | FKC03-12S05-SMD P-DUKE SMD or Through Hole | FKC03-12S05-SMD.pdf |