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Rohm Semiconductor SH8M12TB1

SH8M12TB1
제조업체 부품 번호
SH8M12TB1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
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내부 부품 번호EIS-SH8M12TB1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SH8M12
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5A, 4.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs42m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds250pF @ 10V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SH8M12TB1
관련 링크SH8M1, SH8M12TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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