창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SD2H226M16025 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SD2H226M16025 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SD2H226M16025 | |
| 관련 링크 | SD2H226, SD2H226M16025 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43504A9477M87 | 470µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 190 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504A9477M87.pdf | |
![]() | TAJD336K020A | 33µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD336K020A.pdf | |
![]() | ATS20A | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS20A.pdf | |
![]() | GL200F33IDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL200F33IDT.pdf | |
![]() | SIT8918BA-83-33E-64.0000Y | OSC XO 3.3V 64MHZ OE | SIT8918BA-83-33E-64.0000Y.pdf | |
![]() | MUR10005CTR | DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER | MUR10005CTR.pdf | |
![]() | IDT72205LB15TF | IDT72205LB15TF IDT QFP-64 | IDT72205LB15TF.pdf | |
![]() | 3829#PBF | 3829#PBF LT QFN38 | 3829#PBF.pdf | |
![]() | TC551001CF1-85 | TC551001CF1-85 TOSHBA SOP | TC551001CF1-85.pdf | |
![]() | LE27C1001F | LE27C1001F SANYO CDIP32 | LE27C1001F.pdf | |
![]() | CMPZDA13VTR13 | CMPZDA13VTR13 CENTRAL SOT-23 | CMPZDA13VTR13.pdf |