창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR10005CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR10005CT thru 10020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 75ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MUR10005CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR10005CTR | |
관련 링크 | MUR100, MUR10005CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D8R2BXPAP | 8.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D8R2BXPAP.pdf | |
![]() | MKT1817333015W | 0.033µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | MKT1817333015W.pdf | |
![]() | OP245A | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.8V 50mA 40° Radial | OP245A.pdf | |
![]() | B82496C3689Z | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 150 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | B82496C3689Z.pdf | |
![]() | CX-11F | CX-11F KSS SMD or Through Hole | CX-11F.pdf | |
![]() | ACC4516L-700-T 700-4516 | ACC4516L-700-T 700-4516 TDK SMD or Through Hole | ACC4516L-700-T 700-4516.pdf | |
![]() | DG506ATQ | DG506ATQ MAX DIP | DG506ATQ.pdf | |
![]() | K103M15Z5UHVAWA | K103M15Z5UHVAWA MEP SMD or Through Hole | K103M15Z5UHVAWA.pdf | |
![]() | BD638 | BD638 ORIGINAL TO-220 | BD638.pdf | |
![]() | DNSMMBT2222ALT1G | DNSMMBT2222ALT1G ORIGINAL SMD or Through Hole | DNSMMBT2222ALT1G.pdf | |
![]() | RM4/I-3C96 | RM4/I-3C96 FERROX SMD or Through Hole | RM4/I-3C96.pdf | |
![]() | LT3461AES6#TRPBF TEL:82766440 | LT3461AES6#TRPBF TEL:82766440 LINEAR SMD or Through Hole | LT3461AES6#TRPBF TEL:82766440.pdf |