창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR660CTLQ-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR660CTLQ | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 570mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 300µA @ 60V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SBR660CTLQ-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR660CTLQ-13 | |
관련 링크 | SBR660C, SBR660CTLQ-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CIH05T3N3CNC | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 190 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | CIH05T3N3CNC.pdf | ||
FMN1A | FMN1A ROHM SOT153 | FMN1A.pdf | ||
DM15FD221J03 | DM15FD221J03 Tyco con | DM15FD221J03.pdf | ||
H8P2932 | H8P2932 MURATA SIP-9P | H8P2932.pdf | ||
W07E010P-70 | W07E010P-70 WINBOND SMD or Through Hole | W07E010P-70.pdf | ||
RI80F-4W-160K/400M-J-F | RI80F-4W-160K/400M-J-F ORIGINAL SMD or Through Hole | RI80F-4W-160K/400M-J-F.pdf | ||
3-176264-6 | 3-176264-6 AMP SMD or Through Hole | 3-176264-6.pdf | ||
MBM0474A-7 | MBM0474A-7 ORIGINAL DIP | MBM0474A-7.pdf | ||
A7013G | A7013G ORIGINAL DFN8 | A7013G.pdf | ||
CHT0831/87CM38N-3589 | CHT0831/87CM38N-3589 ChangHong SMD or Through Hole | CHT0831/87CM38N-3589.pdf | ||
TC2185-2.6VCCTR | TC2185-2.6VCCTR MICROCHIP SOT-23-5 | TC2185-2.6VCCTR.pdf |