창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S220J25SL0N6UJ5R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | S Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | S | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 22pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
온도 계수 | SL | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | 0.256" Dia(6.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
특징 | - | |
리드 유형 | 스트레이트형 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | S220J25SL0N6UJ5R | |
관련 링크 | S220J25SL, S220J25SL0N6UJ5R 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AISC-1008-R012J-T | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 90 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008-R012J-T.pdf | |
![]() | L-07WR10KV4T | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 2.52 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | L-07WR10KV4T.pdf | |
![]() | VO615A-1X017T | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | VO615A-1X017T.pdf | |
![]() | CRCW12063R60JNEAHP | RES SMD 3.6 OHM 5% 1/2W 1206 | CRCW12063R60JNEAHP.pdf | |
![]() | TKV2680AS2G0(S08) | TKV2680AS2G0(S08) ORIGINAL SOT-23 | TKV2680AS2G0(S08).pdf | |
![]() | MCP6V02T-E/SN | MCP6V02T-E/SN MICROCHIP SOIC-8-TR | MCP6V02T-E/SN.pdf | |
![]() | SKMT162/14E | SKMT162/14E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKMT162/14E.pdf | |
![]() | RD-19230FX-202 | RD-19230FX-202 DDC QFP | RD-19230FX-202.pdf | |
![]() | TDA12135PS/N2/3 | TDA12135PS/N2/3 NXP DIP64 | TDA12135PS/N2/3.pdf | |
![]() | 25101883 | 25101883 ORIGINAL CDIP | 25101883.pdf | |
![]() | K6T8008C2M-TB70/TB55 | K6T8008C2M-TB70/TB55 MEMORY SMD | K6T8008C2M-TB70/TB55.pdf | |
![]() | XRL50822WLP | XRL50822WLP RMI BGA | XRL50822WLP.pdf |