창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RXR035N03TCL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RXR035N03 | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.3nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-96 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RXR035N03TCL | |
| 관련 링크 | RXR035N, RXR035N03TCL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | BFC233915472 | 4700pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC233915472.pdf | |
![]() | RD6C(S) | RD6C(S) NEC DO-4 | RD6C(S).pdf | |
![]() | UDZ8V2B-7-F (8.2V) | UDZ8V2B-7-F (8.2V) DIODES SOD-323 | UDZ8V2B-7-F (8.2V).pdf | |
![]() | S-817B15AUA-CWET2G | S-817B15AUA-CWET2G SII SMD or Through Hole | S-817B15AUA-CWET2G.pdf | |
![]() | BC857S E6327 | BC857S E6327 Infienon SOT-363 | BC857S E6327.pdf | |
![]() | IB4815D | IB4815D XP DIP | IB4815D.pdf | |
![]() | 10613/CARCLO | 10613/CARCLO CARCLOTECHNICALP SMD or Through Hole | 10613/CARCLO.pdf | |
![]() | 734121709 | 734121709 MOLEX SMD or Through Hole | 734121709.pdf | |
![]() | 2SA2200TD-E | 2SA2200TD-E SNY Call | 2SA2200TD-E.pdf | |
![]() | VRPD-15B15L | VRPD-15B15L Bel SOPDIP | VRPD-15B15L.pdf |