창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW2R0DAR010J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.01 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 2W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 4524 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 함요형 | |
| 크기/치수 | 0.455" L x 0.240" W(11.56mm x 6.10mm) | |
| 높이 | 0.231"(5.87mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | RW2R0DAR010 RW2R0DAR010JBK RW2R0J.010BK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW2R0DAR010J | |
| 관련 링크 | RW2R0DA, RW2R0DAR010J 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | D332Z20Y5VH6TJ5R | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D332Z20Y5VH6TJ5R.pdf | |
![]() | RNCF1206BTE806K | RES SMD 806K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE806K.pdf | |
![]() | PAT0603E6040BST1 | RES SMD 604 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E6040BST1.pdf | |
![]() | SFR2500001303FR500 | RES 130K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500001303FR500.pdf | |
![]() | CP0603B0902BWTR | RF Directional Coupler GSM 890MHz ~ 915MHz 25 ± 1dB 3W 0603 (1608 Metric) | CP0603B0902BWTR.pdf | |
![]() | KSD882 | KSD882 FORG TO-126 | KSD882 .pdf | |
![]() | SB010M0033BZF-0611 | SB010M0033BZF-0611 YAGEO DIP | SB010M0033BZF-0611.pdf | |
![]() | LQG15HS6N8G02D | LQG15HS6N8G02D Murata SMD or Through Hole | LQG15HS6N8G02D.pdf | |
![]() | HD6433256F12F | HD6433256F12F REN N A | HD6433256F12F.pdf | |
![]() | GF06PB502M | GF06PB502M TOCOS SMD or Through Hole | GF06PB502M.pdf | |
![]() | TS01ABE/C-K | TS01ABE/C-K GLS SMD or Through Hole | TS01ABE/C-K.pdf |