창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RQJ0303PGDQA#H6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RQJ0303PGDQA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 68m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 625pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | 3-MPAK | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RQJ0303PGDQA#H6 | |
관련 링크 | RQJ0303PG, RQJ0303PGDQA#H6 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | Y16254K00000Q24W | RES SMD 4K OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y16254K00000Q24W.pdf | |
![]() | LT1468AIDD-2#PBF/AC/I/C | LT1468AIDD-2#PBF/AC/I/C LT SMD or Through Hole | LT1468AIDD-2#PBF/AC/I/C.pdf | |
![]() | 87833-2620 | 87833-2620 MOLEX ORIGINAL | 87833-2620.pdf | |
![]() | 9000-41034-0100500 | 9000-41034-0100500 MURR SMD or Through Hole | 9000-41034-0100500.pdf | |
![]() | PMB2.2220S | PMB2.2220S SIEMENS SOP-20 | PMB2.2220S.pdf | |
![]() | MAX755CSA.ESA | MAX755CSA.ESA MAX SOP8 | MAX755CSA.ESA.pdf | |
![]() | 0.47UF25V | 0.47UF25V ST SMD or Through Hole | 0.47UF25V.pdf | |
![]() | DS12B 887 | DS12B 887 DALLAS SMD or Through Hole | DS12B 887.pdf | |
![]() | CC0603FRNPO8BN152 | CC0603FRNPO8BN152 YAGEO SMD | CC0603FRNPO8BN152.pdf | |
![]() | SM5131GS | SM5131GS NPC SOP-3.9-16P | SM5131GS.pdf | |
![]() | CL02C090DO2ANN | CL02C090DO2ANN SAMSUNG SMD | CL02C090DO2ANN.pdf | |
![]() | TEMSVP1A225M8R | TEMSVP1A225M8R NEC P | TEMSVP1A225M8R.pdf |