창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E080GNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RQ3E080GN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.7m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E080GNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E080GNTB | |
| 관련 링크 | RQ3E08, RQ3E080GNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 185682K100RAB-F | 6800pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | 185682K100RAB-F.pdf | |
![]() | S14K140G5S5 | VARISTOR 220V 4.5KA DISC 14MM | S14K140G5S5.pdf | |
![]() | HCM4916000000BBIT | 16MHz ±50ppm 수정 16pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4916000000BBIT.pdf | |
![]() | 64LC02PI | 64LC02PI CATALYST DIP-8P | 64LC02PI.pdf | |
![]() | 4532 10UH | 4532 10UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 4532 10UH.pdf | |
![]() | MD4331-GIG-V3Q18-XP | MD4331-GIG-V3Q18-XP ORIGINAL BGA | MD4331-GIG-V3Q18-XP.pdf | |
![]() | LT047AM1 | LT047AM1 LT SOP-8 | LT047AM1.pdf | |
![]() | LTC4075EDD#TRPBF | LTC4075EDD#TRPBF LTC SMD or Through Hole | LTC4075EDD#TRPBF.pdf | |
![]() | MTFC32GGADQ-WT | MTFC32GGADQ-WT MICRON BGA | MTFC32GGADQ-WT.pdf | |
![]() | 98DX163-A3-BCW1C000 | 98DX163-A3-BCW1C000 MARVELL SMD or Through Hole | 98DX163-A3-BCW1C000.pdf |