창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M010A060H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M010A060F, H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 198W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M010A060H | |
| 관련 링크 | GP2M010, GP2M010A060H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTD-125.000MHZ-AR-E-T | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-125.000MHZ-AR-E-T.pdf | |
![]() | PTZ TE25 11B | PTZ TE25 11B ROHM 1808 | PTZ TE25 11B.pdf | |
![]() | ST72321MJZ | ST72321MJZ STM TQFP64 | ST72321MJZ.pdf | |
![]() | SE117 #T | SE117 #T ORIGINAL TO-220 | SE117 #T.pdf | |
![]() | 98993-1201 | 98993-1201 MOLEX SMD or Through Hole | 98993-1201.pdf | |
![]() | BA6323P | BA6323P ROHM SOP-8 | BA6323P.pdf | |
![]() | 08-0450-03 | 08-0450-03 CISCO BGA | 08-0450-03.pdf | |
![]() | HM2P07PDE120L9L | HM2P07PDE120L9L FCI SMD or Through Hole | HM2P07PDE120L9L.pdf | |
![]() | HZS13NB2TD-E | HZS13NB2TD-E HITACHI DO-34 | HZS13NB2TD-E.pdf | |
![]() | MMB3R04GUACA-2GE | MMB3R04GUACA-2GE Samsung/BulkClass 4GBTransFlashCar | MMB3R04GUACA-2GE.pdf | |
![]() | SD1V227M0811MCZ180 | SD1V227M0811MCZ180 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1V227M0811MCZ180.pdf |