창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M010A060H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M010A060F, H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 198W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M010A060H | |
| 관련 링크 | GP2M010, GP2M010A060H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
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![]() | Y000784K5000T0L | RES 84.5K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000784K5000T0L.pdf | |
![]() | REF198FSZ-REEL7 | REF198FSZ-REEL7 ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | REF198FSZ-REEL7.pdf | |
![]() | ZM7V5B | ZM7V5B TC SMD or Through Hole | ZM7V5B.pdf | |
![]() | HBM12PT | HBM12PT chenmko SMB | HBM12PT.pdf | |
![]() | SLB8V | SLB8V Intel BGA | SLB8V.pdf | |
![]() | TNG-322 | TNG-322 ORIGINAL DIP | TNG-322.pdf |