창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M010A060H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M010A060F, H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 198W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M010A060H | |
| 관련 링크 | GP2M010, GP2M010A060H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | ABM11AIG-30.000MHZ-4-T3 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-30.000MHZ-4-T3.pdf | |
![]() | Y16301K00000T9W | RES SMD 1K OHM 0.01% 1/4W 1206 | Y16301K00000T9W.pdf | |
![]() | CMF55357K00BEEA70 | RES 357K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55357K00BEEA70.pdf | |
![]() | WSI57C291B | WSI57C291B WSI CDIP | WSI57C291B.pdf | |
![]() | LM4871IL | LM4871IL NITOANAL 8PIN | LM4871IL.pdf | |
![]() | EEAFC1A220H | EEAFC1A220H Panasonic DIP-2 | EEAFC1A220H.pdf | |
![]() | SKM300GA126D | SKM300GA126D Semikron SMD or Through Hole | SKM300GA126D.pdf | |
![]() | 1-487526-9 | 1-487526-9 TE SMD or Through Hole | 1-487526-9.pdf | |
![]() | LD1107V-S33T5 | LD1107V-S33T5 FOXCONN SMD or Through Hole | LD1107V-S33T5.pdf | |
![]() | DIG-118-30-DD | DIG-118-30-DD DIG DIP-8P | DIG-118-30-DD.pdf | |
![]() | 150C100BF | 150C100BF MSC SMD or Through Hole | 150C100BF.pdf |