창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ROP1011102/3CR1B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ROP1011102/3CR1B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ROP1011102/3CR1B | |
| 관련 링크 | ROP101110, ROP1011102/3CR1B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTFL-125.000MHZ-AR-E-T3 | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-125.000MHZ-AR-E-T3.pdf | |
![]() | CRCW20103R24FNEF | RES SMD 3.24 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20103R24FNEF.pdf | |
![]() | RT0805CRE0718RL | RES SMD 18 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0718RL.pdf | |
![]() | TC58NVG6T2H-TA00 | TC58NVG6T2H-TA00 Auto SMD or Through Hole | TC58NVG6T2H-TA00.pdf | |
![]() | BL-HS1X136T1-TRB | BL-HS1X136T1-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HS1X136T1-TRB.pdf | |
![]() | MB84082B | MB84082B FUJ DIP14 | MB84082B.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | UPD1709C-538 | UPD1709C-538 NEC DIP-28 | UPD1709C-538.pdf | |
![]() | 215RPP4AKA22HG | 215RPP4AKA22HG ATI SMD or Through Hole | 215RPP4AKA22HG.pdf | |
![]() | 12048458 | 12048458 Delphi SMD or Through Hole | 12048458.pdf | |
![]() | LS3016 | LS3016 ORIGINAL SMD or Through Hole | LS3016.pdf | |
![]() | LH5164-12L | LH5164-12L SHARP DIP28 | LH5164-12L.pdf |