창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2713JE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN2712JE-13JE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(에미터 결합) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-553 | |
공급 장치 패키지 | ESV | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RN2713JE(TE85LF)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2713JE(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN2713JE(T, RN2713JE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | CRCW20101K74FKEFHP | RES SMD 1.74K OHM 1% 1W 2010 | CRCW20101K74FKEFHP.pdf | |
![]() | 2007251-1 | 2007251-1 AMP/Tyco/TE SMD or Through Hole | 2007251-1.pdf | |
![]() | MQD-20-8/14 | MQD-20-8/14 MOT CASE194 | MQD-20-8/14.pdf | |
![]() | NA123NN | NA123NN TM SOJ | NA123NN.pdf | |
![]() | SNJ55118J | SNJ55118J TI DIP-16 | SNJ55118J.pdf | |
![]() | ST27F622L2M1 | ST27F622L2M1 ST SOP | ST27F622L2M1.pdf | |
![]() | TPC8133-H | TPC8133-H TOSHIBA SMD or Through Hole | TPC8133-H.pdf | |
![]() | 325052100 | 325052100 YAGEO SMD or Through Hole | 325052100.pdf | |
![]() | V-1002 | V-1002 ORIGINAL SMD or Through Hole | V-1002.pdf | |
![]() | 71V633S11PF | 71V633S11PF IDT QFP | 71V633S11PF.pdf | |
![]() | LL4148/ | LL4148/ ST DIP | LL4148/.pdf | |
![]() | V58C2256324SAB36 | V58C2256324SAB36 ProMOS Tray | V58C2256324SAB36.pdf |