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Toshiba Semiconductor and Storage RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)
제조업체 부품 번호
RN1106ACT(TPL3)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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내부 부품 번호EIS-RN1106ACT(TPL3)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN110xACT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)80mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지CST3
표준 포장 10,000
다른 이름RN1106ACT(TPL3)TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RN1106ACT(TPL3)
관련 링크RN1106ACT, RN1106ACT(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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