창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA80R310CEXKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA80R310CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 310m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2320pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001313398 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA80R310CEXKSA2 | |
| 관련 링크 | IPA80R310, IPA80R310CEXKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VS-VSKC91/14 | DIODE GEN PURP 1.4KV 50A ADDAPAK | VS-VSKC91/14.pdf | |
![]() | 2-5-1DL | MAGNETICS RF TRANSFORMER | 2-5-1DL.pdf | |
![]() | LG-L020- | LG-L020- LC SMD or Through Hole | LG-L020-.pdf | |
![]() | ISP1122DCZ | ISP1122DCZ ORIGINAL SOP32 | ISP1122DCZ.pdf | |
![]() | UFR3015R | UFR3015R MSC SMD or Through Hole | UFR3015R.pdf | |
![]() | LDB182G5010G120 | LDB182G5010G120 ORIGINAL SMD or Through Hole | LDB182G5010G120.pdf | |
![]() | KS57C0002-FW | KS57C0002-FW SAMSUNG SOP | KS57C0002-FW.pdf | |
![]() | 1210N471G500LG | 1210N471G500LG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210N471G500LG.pdf | |
![]() | 78P257BM | 78P257BM EMC SMD-20 | 78P257BM.pdf | |
![]() | P7HEF4053BTR | P7HEF4053BTR ORIGINAL SMD or Through Hole | P7HEF4053BTR.pdf | |
![]() | LA6358NMLTPT1 | LA6358NMLTPT1 SANYO SMD or Through Hole | LA6358NMLTPT1.pdf | |
![]() | TC1017-2.5VLT | TC1017-2.5VLT MICROCHIP SOT23-5 | TC1017-2.5VLT.pdf |